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本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著,主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论,内容包括:SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒。

慢慢去除先前在超结结构碳化硅DSRD中积累的正向电荷,当累计的正向电荷被完全去除时,超结结构碳化硅DSRD迅速断开电流;当超结结构碳化硅DSRD断开后,产生。

用于脉冲功率领域的碳化硅四层器件性能概述梁琳,潘铭,舒玉雄,张鲁丹(华中科技大学光学与电子信息学院,武汉摘要:综合论述了基于碳化硅(SiC)材。

阻挡层的主要功能形件,以脉冲CVI工艺制备了炭纤维增韧功能梯度碳是阻挡,渗入基体并吸收一部分,,使材料能经受22化硅基复合材料,与单层碳化硅基复。

2018年9月3日-下面两个图是对比了不同电流情况下的反向特性,碳化硅电流的从属性很好,。的MOSFET提供的驱动板子,这个可以对SiC-MOSFET做一些特性评估,比如双脉冲等。

2018年3月5日-在脉冲雷达应用中,从发射到接收操作的过渡期间需要。●大电流的切换要求从大容量电容到HPA漏极引脚的路径。此前,他是防务和航空航天领域碳化硅衬底氮化镓放大器。

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2018年9月5日-驱动回路参数对碳化硅MOSFET开关瞬态过程的影响-在电力电子系统中,碳化硅(SiC)MOSFET的开关特性易受系统杂散参数的影响,表现为电磁能量脉冲形态属性。